1.電壓型全控器件P≤MOSF：正連續柵電壓控制，負持續柵壓控制和隔離;開關頻率高;單極，開關頻率高，負連續柵電壓控制。
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續柵電壓控制接通，負持續柵極電壓控制和隔離，開關頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈沖電壓控制接通，負脈沖電壓控制關閉，開關頻率高(低于IGBT)，雙極開關，負脈沖電壓控制關閉。
4.電壓型全控裝置：連續電壓控制開關;高開關頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續基波電流控制開啟，基極電流在基極電流為0時被關閉，開關頻率適中，雙極電流被打開，基極電流在基極電流為0時被關閉。
6.電流模式半控器件可控硅：脈沖柵電流控制接通，觸發信號不能控制開關，開關頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈沖柵電流控制開關，負脈沖門電流(較大)控制關閉，開關頻率低，雙極;
